電流補償式微電容變化量測試裝置專利登記公告
專利名稱：電流補償式微電容變化量測試裝置
摘要： 本裝置屬半導體測量技術（Ｃ－Ｖ技術），具體地說，就是涉及ＭＯＳ器件中微量可動離子，ＰＮ結（或ＭＳ結）中微量深能級雜質(zhì)以及高性能二極管配對篩選的測量技術。$本裝置采用電流補償原理，將傳統(tǒng)Ｃ－Ｖ測量的單端輸入運放工作模式改變?yōu)閮啥溯斎氩顒与娏餮a償工作模式，從而使干擾測量的背景電容被自動補償?shù)?，突出了相關電容的微量變化，使測量的分辨率顯著提高（１－２個量級）。另外，由于構思的原因，使本裝置的技術與現(xiàn)有設備是兼容的，既可以外加相應的電流補償措施，也可在原有設備上略加改動，就可以改型，對于廠家、用戶都頗為靈活、方便、實惠。
專利類型：實用新型專利
專利號：CN88200726.2
專利申請（專利權）人：北京大學
專利發(fā)明（設計）人：譚長華; 許銘真; 金杰; 王陽元
主權項： 一種由波形可變的電壓信號儀１、電壓測量記錄器２和運算放大器組成的微電容變化量測試裝置，其特征在于運算放大器是由微電流計、補償阻抗３和分壓電阻Ｒ所組成的電流補償差分運算放大器。
專利地區(qū)：北京
Tags: 北京
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