基于電極采用交錯位方式排列的三維電阻抗斷層成像方法專利登記公告
專利名稱：基于電極采用交錯位方式排列的三維電阻抗斷層成像方法
摘要：本發(fā)明的目的在于提供一種基于電極采用交錯位方式排列的三維電阻抗斷層成像方法，包括以下步驟：（1）在三維圖像的待測體表面放置電極，且該電極采用交錯位的方式在三維圖像的待測體表面上進行排列；（2）通過三維圖像的待測體得到對應的有限元模型，并利用所述的電極對該有限元模型進行數(shù)據(jù)采集，根據(jù)采集到的數(shù)據(jù)計算差分電壓信號yi=vi-v0；（3）計算三維圖像的待測體的電導率變化近似值（4）計算所得的在有限元模型中進行顯示，其顯示出來的圖像即為三維圖像的待測體的實時差分圖像。本發(fā)明的電極采用交錯位的方式在三維圖像的待測體
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201210188972.9
專利申請（專利權）人：思瀾科技（成都）有限公司
專利發(fā)明（設計）人：蒲洋;戴濤;向飛
主權項：基于電極采用交錯位方式排列的三維電阻抗斷層成像方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）在三維圖像的待測體表面放置電極，且該電極采用交錯位的方式在三維圖像的待測體表面上進行排列；（2）通過三維圖像的待測體得到對應的有限元模型，并利用所述電極對該有限元模型進行數(shù)據(jù)采集，根據(jù)采集到的數(shù)據(jù)計算差分電壓信號yi=vi?v0，其中，vi為當前時刻的電壓信號，v0為參考信號；（3）計算三維圖像的待測體的電導率變化近似值其中，P=R?1，R為先驗條件，J為電導率敏感度矩陣，T為J的轉置，λ為正則化參數(shù)，V=W?1,W為反映
專利地區(qū)：四川
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