一種改進(jìn)的高熱導(dǎo)率電子封裝材料專利登記公告
專利名稱：一種改進(jìn)的高熱導(dǎo)率電子封裝材料
摘要：本發(fā)明涉及一種改進(jìn)的高熱導(dǎo)率電子封裝材料，通過(guò)下述步驟制得：1)選擇金剛石和硅粉作為初始材料，并且添加鈦粉和氮化鋁作為燒結(jié)促進(jìn)劑；2)將上述組分充分混合均勻后；3)將上述混合物裝入石墨容器并放入放電等離子燒結(jié)爐；4)在放電等離子燒結(jié)爐抽真空，當(dāng)真空度達(dá)到12~15Pa以下開始快速燒結(jié)；5）燒結(jié)過(guò)程中所加壓力為35～39MPa，升溫速度為80~120℃/分鐘，燒結(jié)溫度設(shè)定為1280～1320℃，達(dá)到燒結(jié)溫度后保持4-5分鐘，并在真空或惰性氣體環(huán)境下燒結(jié)；6)燒結(jié)結(jié)束后對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行隨爐冷卻并卸掉壓力。其具有設(shè)備
專利類型：發(fā)明專利
專利號(hào)：CN201210188052.7
專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：黃凱敏
專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：黃凱敏
主權(quán)項(xiàng)：一種改進(jìn)的高熱導(dǎo)率電子封裝材料，其特征在于，其各原子組分的重量比為：C：Si：Ti：Al：N為19.6～30.4：27.2～33.3：0.53~0.93：0.34~0.8：0.17~0.4；并且，該材料通過(guò)以下步驟制得：1)選擇粒度為18～23μm的金剛石，粒度為40～45μm、純度在99.?99%的硅粉作為初始材料，并且添加鈦粉和氮化鋁作為燒結(jié)促進(jìn)劑；金剛石、硅粉、鈦粉、氮化鋁的重量份數(shù)比為19.6～30.4：27.2～33.3：0.53～0.93：0.5~1.3；2)將上述組分充分混合均勻后；3)選擇
專利地區(qū)：浙江
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