新型低端MOSFET/IGBT負(fù)壓箝位驅(qū)動(dòng)電路及其控制方法專利登記公告

專利名稱：新型低端MOSFET/IGBT負(fù)壓箝位驅(qū)動(dòng)電路及其控制方法

摘要：本發(fā)明公開了一種新型低端MOSFET/IGBT負(fù)壓箝位驅(qū)動(dòng)電路及其控制方法，屬于電力電子驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。它包括電路連接的負(fù)壓箝位驅(qū)動(dòng)單元與BOOST升壓?jiǎn)卧?；控制方法的步驟為：（1）控制S1與S4處于導(dǎo)通狀態(tài)，S2與S3處于關(guān)斷狀態(tài)；（2）控制S1、S2、S3和S4處于關(guān)斷狀態(tài)，Q柵源極上的電壓始終維持在U3上不變；（3）控制S2與S3處于導(dǎo)通狀態(tài)，S1與S4處于關(guān)斷狀態(tài)，Q上的柵源電壓將會(huì)被箝位在電壓U4上，Q瞬間被關(guān)斷；（4）控制S1、S2、S3和S4都處于不導(dǎo)通狀態(tài)，Q柵源極上的電壓維持在U4上。其中S1

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201210176271.3

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：安徽工業(yè)大學(xué)

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：陳宗祥;葛蘆生;何勝方;宋斌

主權(quán)項(xiàng)：新型低端MOSFET/IGBT負(fù)壓箝位驅(qū)動(dòng)電路，它包括負(fù)壓箝位驅(qū)動(dòng)單元（2），所述的負(fù)壓箝位驅(qū)動(dòng)單元（2）與BOOST升壓?jiǎn)卧?）電路連接，其特征在于：所述的負(fù)壓箝位驅(qū)動(dòng)單元（2）由電源Vcc、自舉電容C1、自舉電容C2、二極管D1、二極管D2、MOSFET開關(guān)管S1、MOSFET開關(guān)管S2、MOSFET開關(guān)管S3和MOSFET開關(guān)管S4組成，所述的電源Vcc的負(fù)極接地，電源Vcc的正極與二極管D1的正極相連，二極管D1的負(fù)極與MOSFET開關(guān)管S1的漏極連接，所述的自舉電容C1的一端接入二極管D1的負(fù)

專利地區(qū)：安徽