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專利名稱：一種可變?cè)鲆娣糯笃?/p>
摘要：一種可變?cè)鲆娣糯笃?，屬于模擬信號(hào)處理和通信技術(shù)領(lǐng)域。該可變?cè)鲆娣糯笃饔烧郫B式共源共柵結(jié)構(gòu)，增益調(diào)節(jié)單元，電流鏡，負(fù)載電阻，電流源以及控制電壓轉(zhuǎn)換電路組成。電路中由采用MOS晶體管，電流鏡以及少量的電阻R元器件構(gòu)成?？刂齐妷恨D(zhuǎn)換電路在同一個(gè)輸入控制電壓(VCTR)的作用下能產(chǎn)生不同旳增益調(diào)節(jié)單元中的控制電壓(Vctr)，以實(shí)現(xiàn)連續(xù)型的dB線性可變?cè)鲆?，電路結(jié)構(gòu)適合CMOS工藝，集成度高，因采用MOS晶體管多組并聯(lián)，連續(xù)型的dB線性度好。
專利類型：發(fā)明專利
專利號(hào)：CN201210163492.7
專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：電子科技大學(xué)
專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：吳霜毅;王成碧;寧寧;趙思源;陳榮冠;胡勇;李天柱;眭志凌
主權(quán)項(xiàng)：一種可變?cè)鲆娣糯?，由折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)、增益調(diào)節(jié)單元、電流鏡、負(fù)載電阻、電流源以及控制電壓轉(zhuǎn)換電路組成，其特征在于：所述的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)管由第一NMOS晶體管（M1），第MOS晶體管（M2），第三NMOS晶體管（M3）和第四NMOS晶體管（M4）組成，其中M1和M2構(gòu)成折疊式共源共柵的共源輸入對(duì)管，M3和M4構(gòu)成折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)的共柵對(duì)管，將輸入差分電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成差分電流信號(hào)；所述的增益調(diào)節(jié)單元，由第五NMOS晶體管（M5），第六NMOS晶體管（M6）和第七NMOS晶體管（M7）組成，作為電流開關(guān)；
專利地區(qū)：四川
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