無死區(qū)H橋級聯(lián)型多電平逆變器及控制方法專利登記公告
專利名稱：無死區(qū)H橋級聯(lián)型多電平逆變器及控制方法
摘要：本發(fā)明涉及高壓變頻器技術，旨在提供一種無死區(qū)H橋級聯(lián)型多電平逆變器及控制方法。該逆變器由n個單元級聯(lián)而成；對于單元i兩個直流母線之間跨接直流電源或電容，母線之間并聯(lián)半橋Bi1和半橋Bi2；第一級單元的半橋B11中兩個開關的連接點引出逆變器的端點A，最后一級單元的半橋Bn2中兩個開關的連接點引出逆變器的端點B；第j級單元的半橋Bj1中兩個開關的連接點與第（j-1）級單元的半橋B(j-1)2中兩個開關的連接點相連。本發(fā)明使得各級聯(lián)單元中各橋臂每半個周期只在輸出電流換向時提供一個死區(qū)時間，加入死區(qū)的頻率是參考正
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201210143948.3
專利申請（專利權）人：浙江大學
專利發(fā)明（設計）人：宋春偉;趙榮祥;朱明磊
主權項：一種無死區(qū)H橋級聯(lián)型多電平逆變器，包括直流母線及用于組成半橋的含反并聯(lián)續(xù)流二極管的全控型電力電子開關，其特征在于，該逆變器由n個單元級聯(lián)而成；對于單元i（i=1,2…n），直流母線Pi與Qi之間跨接電壓值為E的直流電源或電容，母線Pi、?Qi之間并聯(lián)半橋Bi1和半橋Bi2；半橋Bi1由全控型電力電子開關Si1、Si2串聯(lián)而成，開關Si1反并聯(lián)二極管Di1，開關Si2反并聯(lián)二極管Di2；半橋Bi2由全控型電力電子開關Si3、Si4串聯(lián)而成，開關Si3反并聯(lián)二極管Di3，開關Si4反并聯(lián)二極管Di4；第一級單
專利地區(qū)：浙江
關于上述專利公告申明 : 上述專利公告轉載自國家知識產權局網站專利公告欄目，不代表該專利由我公司代理取得，上述專利權利屬于專利權人，未經（專利權人）許可，擅自商用是侵權行為。如您希望使用該專利，請搜索專利權人聯(lián)系方式，獲得專利權人的授權許可。