采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的射頻功率放大器專利登記公告
專利名稱：采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的射頻功率放大器
摘要：本發(fā)明涉及一種采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的射頻功率放大器，包括三個(gè)CMOS晶體管和三個(gè)級聯(lián)的反向器；晶體管一源極接晶體管二漏極，晶體管二源極接晶體管三漏極，晶體管二源極接地。晶體管一、晶體管二柵極分別接直流電壓源。反向器三輸出端與晶體管三的柵極連接，用于驅(qū)動晶體管三；反向器一的輸入端作為功率放大器輸入端連接射頻信號。CMOS晶體管一漏極作為功率放大器輸出端，該端通過電感接直流電壓VDD。本發(fā)明采用全CMOS工藝實(shí)現(xiàn)手機(jī)射頻前端功放電路，在保證性能的前提下，使手機(jī)射頻前端芯片的成本降低50%以上；并提高射頻前端功
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201210140694.X
專利申請（專利權(quán)）人：惠州市正源微電子有限公司
專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：田為中
主權(quán)項(xiàng)：一種采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的射頻功率放大器，其特征在于，包括：源極、漏極依次相連的CMOS晶體管一、CMOS晶體管二、CMOS晶體管三，晶體管三源極接地；?三個(gè)級聯(lián)的反向器，所述反向器三輸出端與CMOS晶體管三的柵極連接，用于驅(qū)動CMOS晶體管三；反向器一的輸入端作為功率放大器輸入端接入射頻信號；?CMOS晶體管一、CMOS晶體管二柵極分別接直流電壓源；CMOS晶體管一漏極作為功率放大器輸出端，該端通過電感接直流電壓VDD。
專利地區(qū)：廣東
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