一種MRI磁信號增強器件專利登記公告
專利名稱：一種MRI磁信號增強器件
摘要：本發(fā)明提供一種MRI磁信號增強器件，該MRI磁信號增強器件包括外殼以及設置在外殼內的至少一層負磁導率超材料，該負磁導率超材料為經過特殊設計的低頻負磁導率超材料，當MRI磁信號增強器件中的負磁導率超材料在磁導率為負、諧振頻率與MRI工作頻率近似相同的情況下，負磁導率超材料與MRI成像設備的接收線圈產生響應，增強接收線圈的磁信號，進而增強MRI成像設備的成像質量，MRI成像設備的成像質量增強，能夠使MRI成像設備的接收線圈不必緊靠待測部位，增加MRI成像設備使用的舒適性。
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201210133094.0
專利申請（專利權）人：深圳光啟創(chuàng)新技術有限公司
專利發(fā)明（設計）人：劉若鵬;欒琳;郭潔;余銓強
主權項：一種MRI磁信號增強器件，其特征在于，所述MRI磁信號增強器件包括外殼以及設置在外殼內的至少一層負磁導率超材料，所述負磁導率超材料包括基板及多個周期性陣列排布在基板兩側面的第一人造微結構和第二人造微結構，所述第一人造微結構和第二人造微結構通過一個金屬過孔相連，所述第一人造微結構和第二人造微結構均為方形螺繞環(huán)，所述方形螺繞環(huán)繞線圈數為4圈，所述第一人造微結構和第二人造微結構的尺寸為15mm×15mm，所述基板排布有所述第一人造微結構和第二人造微結構的兩側面垂直于MRI成像設備的磁信號接收線圈。
專利地區(qū)：廣東
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