一種帶有H橋變流器的大容量超導(dǎo)儲能變換器專利登記公告
專利名稱：一種帶有H橋變流器的大容量超導(dǎo)儲能變換器
摘要：一種帶有H橋變流器的大容量超導(dǎo)儲能變換器，包括H橋變流器、斬波器和超導(dǎo)磁體，所述H橋變流器由四個IGBT管橋式組成，所述斬波器通過電容器與所述H橋變流器連接，所述超導(dǎo)磁體兩端分別與所述斬波器的兩個工GBT管和兩個二極管串聯(lián)構(gòu)成功率單元變換器且多個串聯(lián)為多級級聯(lián)變換器。本發(fā)明通過多級H橋級聯(lián)變流器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及配合倍頻載波相移SPWM調(diào)制可得到2N+1電平的輸出電壓波形，有效的降低了諧波含量，省略了現(xiàn)有技術(shù)龐大的變壓器，克服了現(xiàn)有技術(shù)存在的環(huán)流問題，且有效的解決了大容量變換過程中開關(guān)管的耐壓，耐流問題，實現(xiàn)大
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201210128238.3
專利申請（專利權(quán)）人：西安理工大學(xué)
專利發(fā)明（設(shè)計）人：張輝;劉金虹;李金祁;李潔
主權(quán)項：一種帶有H橋變流器的大容量超導(dǎo)儲能變換器，包括H橋變流器(1)、斬波器(2)和超導(dǎo)磁體(Lsc)，其特征在于：所述H橋變流器(1)由四個IGBT管橋式組成，所述斬波器(2)通過電容器(Ca1)與所述H橋變流器(1)連接，所述超導(dǎo)磁體(Lsc)兩端分別與所述斬波器(2)的兩個IGBT管和兩個二極管串聯(lián)構(gòu)成功率單元變換器(3)且多個串聯(lián)為多級級聯(lián)變換器。
專利地區(qū)：陜西
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