具有MOSFET和IGBT的電路布置專(zhuān)利登記公告

專(zhuān)利名稱(chēng)：具有MOSFET和IGBT的電路布置

摘要：本發(fā)明涉及具有MOSFET和IGBT的電路布置。一種電路包括至少一個(gè)FET和至少一個(gè)IGBT，它們的負(fù)載路徑并聯(lián)連接。限壓電路耦合到至少一個(gè)IGBT的柵極端子。

專(zhuān)利類(lèi)型：發(fā)明專(zhuān)利

專(zhuān)利號(hào)：CN201210068118.9

專(zhuān)利申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人：英飛凌科技股份有限公司

專(zhuān)利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：G.德博伊;W.勒斯勒

主權(quán)項(xiàng)：一種電路，包括：輸入端子和輸出端子；至少一個(gè)FET，具有柵極端子和漏極?源極路徑，所述漏極?源極路徑耦合在所述輸入端子和所述輸出端子之間；至少一個(gè)IGBT，具有柵極端子和集電極?發(fā)射極路徑，所述集電極?發(fā)射極路徑耦合在所述輸入端子和所述輸出端子之間；限壓電路，耦合到所述至少一個(gè)IGBT的柵極端子并且被配置為當(dāng)跨越所述集電極?發(fā)射極路徑的電壓達(dá)到閾值電壓時(shí)將所述至少一個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)到接通狀態(tài)；以及控制電路，具有耦合到所述至少一個(gè)FET的柵極端子的第一驅(qū)動(dòng)輸出。

專(zhuān)利地區(qū)：德國(guó)