電介質(zhì)波導(dǎo)管濾波器專利登記公告

專利名稱：電介質(zhì)波導(dǎo)管濾波器

摘要：本發(fā)明提供一種高頻側(cè)的衰減特性與低頻側(cè)的衰減特性相比劣化少的極性電介質(zhì)波導(dǎo)管濾波器。其中，將用導(dǎo)體膜被覆長(zhǎng)方體形狀的電介質(zhì)塊體周圍的多個(gè)電介質(zhì)波導(dǎo)管諧振器設(shè)置于主耦合通路、和跳躍所述主耦合通路而耦合的副耦合通路，被所述副耦合通路跳躍的主耦合通路中包含(1)個(gè)以上的電容性耦合通路。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201210061978.X

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：東光株式會(huì)社

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：伊藤一洋

主權(quán)項(xiàng)：一種電介質(zhì)波導(dǎo)管濾波器，其由用導(dǎo)體膜被覆長(zhǎng)方體形狀的電介質(zhì)塊體周圍的多個(gè)電介質(zhì)波導(dǎo)管諧振器耦合而構(gòu)成，其特征在于，包括：主耦合通路，其串聯(lián)地耦合所述多個(gè)電介質(zhì)波導(dǎo)管諧振器、及1個(gè)或1個(gè)以上的副耦合通路，其跳躍所述主耦合通路的一部分而耦合，其中，被所述副耦合通路跳躍的主耦合通路中包含1個(gè)或1個(gè)以上的電容性耦合通路。

專利地區(qū)：日本