使微調(diào)影響和活塞波型不穩(wěn)定性最小化的聲波導器件和方法專利登記公告

專利名稱：使微調(diào)影響和活塞波型不穩(wěn)定性最小化的聲波導器件和方法

摘要：一種可操作為活塞波型波導的聲波器件，其包括在壓電基板的表面上形成叉指式換能器的電極，其中多個電極中的每一個均限定為具有橫向延伸中央?yún)^(qū)域和橫向相反邊緣區(qū)域，用于引導聲波沿縱向穿過換能器。氧化硅覆蓋層覆蓋換能器，并且氮化硅層僅在中央和邊緣區(qū)域覆蓋氧化硅覆蓋層。氮化硅層的厚度足以為中央?yún)^(qū)域內(nèi)的聲波提供頻率修改并且針對鈦條在相反邊緣區(qū)域中的每一個中的定位進行優(yōu)化。鈦條降低邊緣區(qū)域內(nèi)的聲波速度，所述邊緣區(qū)域內(nèi)的速度低于換能器中央?yún)^(qū)域內(nèi)的波速。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201210057488.2

專利申請（專利權(quán)）人：特里奎恩特半導體公司

專利發(fā)明（設計）人：本·阿博特;艾倫·陳;特霍·科克;庫爾特·斯坦納;羅伯特·艾格納;朱利恩·格拉捷

主權(quán)項：一種聲波器件，包括：壓電基板，其具有用于支持聲波的表面；叉指式換能器，其載于所述壓電基板的所述表面上，其中所述換能器的多個電極中的每一個都具有與第一和第二母線中的至少之一電連接的第一端以及相反的第二端，所述第二端具有與相對的母線隔開的邊緣從而在每個電極的所述邊緣和相對的母線之間形成間隙，所述間隙形成沿所述換能器縱向延伸的間隙區(qū)域，其中每個電極進一步由第一橫向延伸部、第二橫向延伸部以及第三橫向延伸部所限定，所述第一橫向延伸部靠近所述母線且通常容納在所述間隙區(qū)域內(nèi)，所述第二橫向延伸部靠近所述邊緣且限定沿所述換

專利地區(qū)：美國