用于基于自旋扭矩的存儲器裝置的讀取方向?qū)＠怯浌?/h1>
專利名稱：用于基于自旋扭矩的存儲器裝置的讀取方向
摘要：一種基于自旋扭矩的存儲器裝置包括：在陣列中的多個磁存儲基元，每一個磁存儲基元包括至少一個磁隧道結(jié)（MTJ）元件；以及與所述多個磁存儲基元對應(yīng)的至少一條位線和至少一條位補線。通過沿第一方向或第二方向驅(qū)動寫入電流以將每一個相應(yīng)的MTJ元件編程為低電阻狀態(tài)或高電阻狀態(tài)而寫入所述相應(yīng)的MTJ元件，并且，通過沿傾向于將每一個相應(yīng)的MTJ元件干擾成高電阻狀態(tài)的方向驅(qū)動讀取電流通過所述相應(yīng)的MTJ元件而讀取所述相應(yīng)的MTJ元件。
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201180005111.6
專利申請（專利權(quán)）人：國際商業(yè)機(jī)器公司
專利發(fā)明（設(shè)計）人：D·C·沃萊吉
主權(quán)項：一種基于自旋扭矩的存儲器裝置，包括：在陣列中的多個磁存儲基元，每一個磁存儲基元包括至少一個磁隧道結(jié)（MTJ）元件；以及與所述多個磁存儲基元對應(yīng)的至少一條位線和至少一條位補線，其中，通過沿第一方向或第二方向驅(qū)動寫入電流以將每一個相應(yīng)的MTJ元件編程為低電阻狀態(tài)或高電阻狀態(tài)而寫入所述相應(yīng)的MTJ元件，并且，通過沿傾向于將每一個相應(yīng)的MTJ元件干擾成高電阻狀態(tài)的方向驅(qū)動讀取電流通過所述相應(yīng)的MTJ元件而讀取所述相應(yīng)的MTJ元件。
專利地區(qū)：美國