用于監(jiān)視半導(dǎo)體晶片的薄化的原位測量晶片厚度的監(jiān)視設(shè)備和方法、以及包括濕蝕刻設(shè)備和監(jiān)視設(shè)備的薄化設(shè)備專利登記公告

專利名稱：用于監(jiān)視半導(dǎo)體晶片的薄化的原位測量晶片厚度的監(jiān)視設(shè)備和方法、以及包括濕蝕刻設(shè)備和監(jiān)視設(shè)備的薄化設(shè)備

摘要：根據(jù)本發(fā)明，發(fā)明了一種監(jiān)視裝置（12）來監(jiān)視在濕蝕刻單元（5）中薄化至少一個(gè)半導(dǎo)體晶片（4），其中，監(jiān)視裝置（12）包括光源（14），光源（14）被設(shè)計(jì)為發(fā)射一定光波段的相干光，半導(dǎo)體晶片（4）對所述一定光波段的相干光是光學(xué)透明的。監(jiān)視裝置（12）還包括測量頭（13），測量頭（13）相對于將被蝕刻的半導(dǎo)體晶片（4）的表面被非接觸式地布置，其中，測量頭（13）被設(shè)計(jì)為以所述一定光波段的相干光照射半導(dǎo)體晶片（4），并被設(shè)計(jì)為接收被半導(dǎo)體晶片（4）反射的光束（16）。此外，監(jiān)視裝置（12）包括光譜儀（17）和分

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201180005028.9

專利申請（專利權(quán)）人：普雷茨特激光技術(shù)有限公司;杜斯蒙德私人控股有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：克勞斯·杜斯蒙德;馬丁·斯科恩勒伯;伯特霍爾德·米歇爾特;克里斯多夫·迪茨

主權(quán)項(xiàng)：一種用于監(jiān)視在濕蝕刻設(shè)備（5）中薄化至少一個(gè)半導(dǎo)體晶片（4）的監(jiān)視設(shè)備，所述監(jiān)視設(shè)備（12）包括：光源（14），光源（14）被構(gòu)造為發(fā)射一定光波段的相干光，半導(dǎo)體晶片（4）對所述一定光波段的相干光是光學(xué)透明的；測量頭（13），測量頭（13）相對于將被蝕刻的半導(dǎo)體晶片（4）的表面被非接觸式地定位，測量頭（13）被構(gòu)造為以所述一定光波段的相干光照射半導(dǎo)體晶片（4），并被構(gòu)造為接收被半導(dǎo)體晶片（4）反射的光束（16）；光譜儀（17）；分束器，所述一定光波段的相干光經(jīng)分束器被引導(dǎo)至測量頭（13），反射的光束被引導(dǎo)

專利地區(qū)：德國