光半導(dǎo)體及其制造方法、以及光半導(dǎo)體設(shè)備、光觸媒、氫生成設(shè)備和能量系統(tǒng)專利登記公告

專利名稱：光半導(dǎo)體及其制造方法、以及光半導(dǎo)體設(shè)備、光觸媒、氫生成設(shè)備和能量系統(tǒng)

摘要：本發(fā)明提供一種光半導(dǎo)體及其制造方法、以及光半導(dǎo)體設(shè)備、光觸媒、氫生成設(shè)備和能量系統(tǒng)。本發(fā)明的光半導(dǎo)體的制造方法包括：混合工序，制作包含鈮化合物和還原防止劑的混合物，該鈮化合物至少在組成中含有氧；氮化工序，使所述混合物與氮化合物氣體進(jìn)行反應(yīng)，從而使所述混合物氮化；和洗凈工序，從通過所述氮化工序得到的試樣中，利用洗凈液溶解鈮氮氧化物以外的化學(xué)種，分離出鈮氮氧化物。本發(fā)明的光半導(dǎo)體實(shí)質(zhì)上由鈮氮氧化物構(gòu)成，該鈮氮氧化物具有斜鋯石型結(jié)晶構(gòu)造、且具有由組成式NbON表示的組成。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201180004738.X

專利申請（專利權(quán)）人：松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：鈴木孝浩;野村幸生;田村聰;羽藤一仁;谷口升;德弘憲一;宮田伸弘

主權(quán)項(xiàng)：一種光半導(dǎo)體，其實(shí)質(zhì)上由鈮氮氧化物構(gòu)成，該鈮氮氧化物具有斜鋯石型結(jié)晶構(gòu)造、且具有由組成式NbON表示的組成。

專利地區(qū)：日本