一種C/SiC陶瓷基復(fù)合材料及其制備方法專利登記公告
專利名稱：一種C/SiC陶瓷基復(fù)合材料及其制備方法
摘要：本發(fā)明公開了一種C/SiC復(fù)合材料及其制備方法。本發(fā)明所提供的C/SiC復(fù)合材料是按照包括下述步驟的方法制備得到的：采用化學(xué)氣相滲透法依次在碳纖維預(yù)制體表面沉積熱解碳界面層和碳化硅基體得到C/SiC復(fù)合材料；其中，所述碳化硅基體的沉積條件如下：以CH3SiCl3(MTS)為氣源，H2為載氣、Ar為稀釋氣體，在1100℃，50kPa的條件下沉積SiC?40小時；所述碳纖維預(yù)制體為2.5維(2.5D)碳纖維編織體。該材料的彎曲強(qiáng)度達(dá)到了213.8MPa，已滿足結(jié)構(gòu)材料對彎曲強(qiáng)度的基本要求；在室溫到1200℃的
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201110271349.5
專利申請（專利權(quán)）人：中國人民解放軍總后勤部軍需裝備研究所
專利發(fā)明（設(shè)計）人：馬天;嚴(yán)自力;高鵬剛
主權(quán)項：一種制備C/SiC復(fù)合材料的方法，包括下述步驟：采用化學(xué)氣相滲透法依次在碳纖維預(yù)制體表面沉積熱解碳界面層和碳化硅基體得到C/SiC復(fù)合材料；其中，所述碳化硅基體的沉積條件如下：以CH3SiCl3為氣源，H2為載氣、Ar為稀釋氣體，在1100℃，50KPa的條件下沉積SiC?40小時；所述碳纖維預(yù)制體為2.5維碳纖維編織體。
專利地區(qū)：北京
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