NP0型陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法專利登記公告
專利名稱：NP0型陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法
摘要：本發(fā)明公開了一種NP0型陶瓷電容器介質(zhì)材料。該材料包括BRT主相、ZnB助燒劑、第二主族化合物和可加可不加的組分BiTi第二相；其中，BiTi第二相占BRT主相重量的0-9％，ZnB助燒劑占BRT主相重量的2-12％，第二主族化合物占BRT主相重量的0-18％，第二主族化合物的用量不為0。該材料室溫介電常數(shù)可達(dá)45～70，室溫介電損耗小于0.05％，在-55～150℃溫度區(qū)間內(nèi)容溫變化率不超過±30ppm/℃，室溫電阻率＞1012Ω·cm，適用于工業(yè)生產(chǎn)，重復(fù)率高，是一項(xiàng)高性能低成本的環(huán)保型介電陶瓷材料，
專利類型：發(fā)明專利
專利號(hào)：CN201110069298.8
專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：清華大學(xué)
專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：王曉慧;孫常庫(kù);鐘財(cái)富;李龍土;桂治輪
主權(quán)項(xiàng)：一種NP0型陶瓷電容器介質(zhì)材料，包括BRT主相、ZnB助燒劑和第二主族化合物；所述BRT主相為鎢青銅礦結(jié)構(gòu)的Ba6?3x(R1yR21?y)8+2xTi18O54所示化合物，所述Ba6?3x(R1yR21?y)8+2xTi18O54中，0.5≤x≤0.7，0≤y≤1，R1和R2均選自La、Eu、Sm、Nd、Pr、Ce和Dy中的至少一種；所述ZnB助燒劑為(ZnO)·(B2O3)n所示化合物，所述(ZnO)·(B2O3)n中，0.7≤n≤0.9；所述第二主族化合物選自SrCO3、SrNO3、CaO、CaCO
專利地區(qū)：北京
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