一種任意阻抗人工合成材料及其設(shè)計方法專利登記公告
專利名稱：一種任意阻抗人工合成材料及其設(shè)計方法
摘要：本發(fā)明提供了一種任意阻抗人工合成材料，任意阻抗人工合成材料包括片狀基材及附著在片狀基材上的多個人造微結(jié)構(gòu)，多個人造微結(jié)構(gòu)包括對電場產(chǎn)生響應的第一微結(jié)構(gòu)及對磁場產(chǎn)生響應的第二微結(jié)構(gòu)，并且第一微結(jié)構(gòu)及第二微結(jié)構(gòu)設(shè)置在片狀基材兩側(cè)對應的位置上。改變第一微結(jié)構(gòu)或第二微結(jié)構(gòu)的尺寸、幾何形狀和/或分布，以改變?nèi)我庾杩谷斯ず铣刹牧系慕殡姵?shù)或磁導率。本發(fā)明提供的任意阻抗人工合成材料，通過改變對電場響應的第一微結(jié)構(gòu)及對磁場響應的第二微結(jié)構(gòu)的尺寸及幾何形狀，從而滿足對超材料的性能要求。本發(fā)明提供的人工合成材料，結(jié)構(gòu)簡單，可
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201110066502.0
專利申請（專利權(quán)）人：深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司
專利發(fā)明（設(shè)計）人：劉若鵬;欒琳;趙治亞;李岳峰
主權(quán)項：一種任意阻抗人工合成材料，其特征在于，所述任意阻抗人工合成材料包括片狀基材及附著在所述片狀基材上的多個人造微結(jié)構(gòu)，所述多個人造微結(jié)構(gòu)包括對電場產(chǎn)生響應的第一微結(jié)構(gòu)。
專利地區(qū)：廣東
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