垂直互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)管專利登記公告

專利名稱：垂直互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)管

摘要：垂直互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)管，涉及半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)技術(shù)。更具體的說，涉及功率集成電路芯片生產(chǎn)技術(shù)。本發(fā)明的襯底層局部延伸入中間層并形成位于兩個(gè)MOS單元之間的栓部，襯底層的下側(cè)設(shè)有導(dǎo)出端，當(dāng)兩個(gè)MOS單元的柵極施加開通電壓后，形成MOS單元-栓部-襯底層-導(dǎo)出端的兩個(gè)導(dǎo)流通道。本技術(shù)可以集成倆個(gè)以上MOS管，因而減小了芯片尺寸。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201110056548.4

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：無錫維賽半導(dǎo)體有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：黃勤

主權(quán)項(xiàng)：垂直互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)管，包括至少兩個(gè)MOS單元，其特征在于：還包括襯底層和設(shè)于襯底層上的中間層，該中間層與一個(gè)MOS單元對(duì)應(yīng)處嵌有阱區(qū)，襯底層的PN極性與中間層相反，與阱區(qū)相同，所述的每個(gè)MOS單元包括一對(duì)PN同性電極和一個(gè)柵極，兩個(gè)MOS單元的電極PN極性相反，其中一對(duì)電極設(shè)于中間層上并能在柵極控制下在中間層形成導(dǎo)通溝道，另一對(duì)電極設(shè)于阱上并能在柵極控制下在阱中形成導(dǎo)通溝道，所述的襯底層局部延伸入中間層并形成位于兩個(gè)MOS單元之間的栓部，襯底層的下側(cè)設(shè)有導(dǎo)出端，當(dāng)兩個(gè)MOS單元的柵極施加開通電壓后，形成MOS

專利地區(qū)：江蘇