用于抗蝕劑的下層的組合物和使用其來生產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路裝置的方法專利登記公告

專利名稱：用于抗蝕劑的下層的組合物和使用其來生產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路裝置的方法

摘要：提供了用于抗蝕劑的下層的組合物，包括如在化學(xué)式1至3中表示的有機硅烷類縮聚化合物；和溶劑。該用于抗蝕劑的下層的組合物容易控制折射率和光吸收，并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蝕劑的下層和使用其的半導(dǎo)體集成電路裝置。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080060219.0

專利申請（專利權(quán)）人：第一毛織株式會社

專利發(fā)明（設(shè)計）人：金美英;李雨晉;韓權(quán)愚;李漢松;金相均;金鐘涉

主權(quán)項：一種抗蝕劑下層組合物，包括：由以下式1至3表示的化合物的有機硅烷縮聚產(chǎn)物；和溶劑：[化學(xué)式1][R1O]3Si?X其中，在化學(xué)式1中，R1是取代或未取代的C1至C6烷基基團，并且X是取代或未取代的C6至C30芳基基團，[化學(xué)式2][R2O]3Si?R3其中，在化學(xué)式2中，R2是取代或未取代的C1至C6烷基基團，并且R3是取代或未取代的C1至C12烷基基團，[化學(xué)式3][R4O]3Si?Si[OR5]3其中，在化學(xué)式3中，R4和R5是相同或不同的，并且是取代或未取代的C1至C6烷基基團。

專利地區(qū)：韓國