使用外圍四氯化硅減少硅在反應(yīng)器壁上的沉積的方法專(zhuān)利登記公告

專(zhuān)利名稱(chēng)：使用外圍四氯化硅減少硅在反應(yīng)器壁上的沉積的方法

摘要：本發(fā)明公開(kāi)了流化床反應(yīng)器系統(tǒng)和分配器以及用于由可熱分解的硅化合物例如三氯硅烷生產(chǎn)多晶硅的方法。該方法通常包括在多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中通過(guò)使用四鹵化硅還原反應(yīng)器壁上的硅沉積物。

專(zhuān)利類(lèi)型：發(fā)明專(zhuān)利

專(zhuān)利號(hào)：CN201080060001.5

專(zhuān)利申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人：MEMC電子材料有限公司

專(zhuān)利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：H·F·厄爾克

主權(quán)項(xiàng)：一種在包括反應(yīng)室的反應(yīng)器內(nèi)生產(chǎn)多晶硅產(chǎn)品的方法，所述反應(yīng)室具有至少一個(gè)反應(yīng)室壁，該方法包括：將四鹵化硅引導(dǎo)向反應(yīng)室壁并且將可熱分解的硅化合物引導(dǎo)向四鹵化硅內(nèi)部，其中可熱分解的化合物接觸硅粒子以使硅沉積到硅粒子上并增大尺寸。

專(zhuān)利地區(qū)：美國(guó)