充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備專利登記公告

專利名稱：充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備

摘要：公開一種充電構(gòu)件，其能夠高水平地實現(xiàn)抑制低分子量組分從彈性層滲出和使電子照相感光體充電二者。所述充電構(gòu)件包括基體、彈性層和表面層，所述表面層包括具有Si-O-Ti鍵的聚合物，所述聚合物包含由以下通式(1)表示的構(gòu)成單元和由以下通式(2)表示的構(gòu)成單元。TiO4/2(2)

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080059626.X

專利申請（專利權(quán)）人：佳能株式會社

專利發(fā)明（設(shè)計）人：黑田紀(jì)明;長嶺典子;友水雄也

主權(quán)項：一種充電構(gòu)件，其包括：基體；彈性層；和表面層,其中：所述表面層包括具有Si?O?Ti鍵的聚合物；和所述聚合物具有由以下通式(1)表示的構(gòu)成單元和具有由以下通式(2)表示的構(gòu)成單元：通式(1)通式(2)TiO4/2其中R1和R2各自獨立地表示以下通式(3)至(6)的任一種：通式(3)通式(4)通式(5)通式(6)其中：R3至R7、R10至R14、R19、R20、R25和R26各自獨立地表示氫、具有1?4個碳原子的烷基、羥基、羧基或氨基；R8、R9、R15至R18、R23、R24和R29至R32各自獨立地表示

專利地區(qū)：日本