多晶硅的制造方法及四氯化硅的制造方法專利登記公告

專利名稱：多晶硅的制造方法及四氯化硅的制造方法

摘要：本發(fā)明提供多晶硅以及四氯化硅的制造方法，其中在多晶硅的制造工藝中，可以使用廉價(jià)且可穩(wěn)定供給的原料，順利地進(jìn)行氯化反應(yīng)，氯化反應(yīng)后的雜質(zhì)得到抑制，可以有效地利用能量來進(jìn)行制造。該多晶硅的制造方法的特征在于，包含：將由二氧化硅和含碳物質(zhì)構(gòu)成的造粒體氯化，生成四氯化硅的氯化步驟、將四氯化硅用還原劑金屬還原而生成多晶硅的還原步驟、和將在還原步驟中副生成的還原劑金屬氯化物熔鹽電解而生成還原劑金屬和氯氣的電解步驟，氯化步驟中，在氧氣共存下向二氧化硅和含碳物質(zhì)供給氯氣使它們進(jìn)行反應(yīng)，電解步驟中生成的還原劑金屬在還原步驟

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080059156.7

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：JNC株式會(huì)社;JX日礦日石金屬株式會(huì)社;東邦鈦株式會(huì)社

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：籠橋亙;堀川松秀;垣內(nèi)康輔

主權(quán)項(xiàng)：多晶硅的制造方法，其為以二氧化硅為原料，經(jīng)由四氯化硅制造多晶硅的方法，其特征在于，包含：將由所述二氧化硅和含碳物質(zhì)構(gòu)成的造粒體氯化，生成四氯化硅的氯化步驟、將所述四氯化硅用還原劑金屬還原而生成多晶硅的還原步驟、和將在所述還原步驟中副生成的還原劑金屬氯化物熔鹽電解而生成還原劑金屬和氯氣的電解步驟，所述氯化步驟中，在氧氣共存下向所述二氧化硅和所述含碳物質(zhì)供給氯氣，使它們進(jìn)行反應(yīng)，所述電解步驟中生成的所述還原劑金屬在所述還原步驟中作為四氯化硅的還原劑再利用，所述電解步驟中生成的所述氯氣在所述氯化步驟中再利用。

專利地區(qū)：日本