電子照相感光構(gòu)件和電子照相設(shè)備專利登記公告

專利名稱：電子照相感光構(gòu)件和電子照相設(shè)備

摘要：本發(fā)明提供一種具有a-SiC上部電荷注入阻止層和a-SiC表面層的電子照相感光構(gòu)件，其粘附性優(yōu)異、抑制表面劣化，感光度特性和帶電特性優(yōu)異，并可長期保持足夠的圖像形成能力。相對于上部電荷注入阻止層中的硅原子，上部電荷注入阻止層包含10原子ppm以上至30,000原子ppm以下的周期表第13族原子或第15族原子，和上部電荷注入阻止層中的碳原子數(shù)(C)與上部電荷注入阻止層中的硅原子數(shù)和碳原子數(shù)之和的比(C/(Si+C))為0.10以上至0.60以下；和表面層中硅原子的原子密度與碳原子的原子密度之和為6.60×1

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080058684.0

專利申請（專利權(quán)）人：佳能株式會社

專利發(fā)明（設(shè)計）人：植田重教;古島聰

主權(quán)項(xiàng)：一種電子照相感光構(gòu)件，其包含導(dǎo)電性基體、在所述導(dǎo)電性基體上的由非晶硅形成的下部電荷注入阻止層、在所述下部電荷注入阻止層上的由非晶硅形成的光導(dǎo)電層、在所述光導(dǎo)電層上的由氫化非晶碳化硅形成的上部電荷注入阻止層和在所述上部電荷注入阻止層上的由氫化非晶碳化硅形成的表面層，其中相對于所述上部電荷注入阻止層中的硅原子，所述上部電荷注入阻止層包含10原子ppm以上至30,000原子ppm以下的周期表第13族原子或第15族原子，和所述上部電荷注入阻止層中的碳原子數(shù)(C)與所述上部電荷注入阻止層中的硅原子數(shù)(Si)和碳原子

專利地區(qū)：日本