CMP研磨液、以及使用其的研磨方法和半導(dǎo)體基板的制造方法專利登記公告

專利名稱：CMP研磨液、以及使用其的研磨方法和半導(dǎo)體基板的制造方法

摘要：本發(fā)明的CMP研磨液的第1方式為，含有氧化鈰粒子、具有炔鍵的有機(jī)化合物和水，具有炔鍵的有機(jī)化合物的含量以CMP研磨液總質(zhì)量基準(zhǔn)計為0.00001質(zhì)量％以上0.01質(zhì)量％以下。本發(fā)明的CMP研磨液的第2方式為，含有氧化鈰粒子、具有炔鍵的有機(jī)化合物、使含有具有陰離子性取代基的乙烯基化合物作為單體成分的組合物聚合而得到的陰離子性高分子化合物或其鹽、以及水，具有炔鍵的有機(jī)化合物的含量以CMP研磨液總質(zhì)量基準(zhǔn)計為0.000001質(zhì)量％以上且不足0.05質(zhì)量％。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080051291.7

專利申請（專利權(quán)）人：日立化成工業(yè)株式會社

專利發(fā)明（設(shè)計）人：吉川茂;阿久津利明;深澤正人

主權(quán)項：一種CMP研磨液，其含有氧化鈰粒子、具有炔鍵的有機(jī)化合物和水，所述具有炔鍵的有機(jī)化合物的含量以CMP研磨液總質(zhì)量基準(zhǔn)計為0.00001質(zhì)量％以上0.01質(zhì)量％以下。

專利地區(qū)：日本