用于在基底上制備碳納米管的方法專利登記公告

專利名稱：用于在基底上制備碳納米管的方法

摘要：本發(fā)明涉及用于在基底上制備碳納米管的方法，所述方法包括用于使包括碳源、由氧化物化合物形成的前體源、以及可選的催化劑源的流在經(jīng)過所述基底的同時(shí)通過化學(xué)氣相沉積而在所述基底上生長(zhǎng)所述納米管的步驟。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080050956.2

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：法國(guó)原子能及替代能源委員會(huì)

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：希里納·卜拉欣;?？贰ゑR斯可羅特

主權(quán)項(xiàng)：一種用于在基底上制備碳納米管的方法，包括用于通過使包括碳源、氧化物化合物的前體源、以及可選的催化劑源的流在所述基底上經(jīng)過，從而通過化學(xué)氣相沉積在所述基底上生長(zhǎng)所述納米管的步驟。

專利地區(qū)：法國(guó)