為結晶硅太陽能電池制造發(fā)射電極的方法和相應的硅太陽能電池專利登記公告

專利名稱：為結晶硅太陽能電池制造發(fā)射電極的方法和相應的硅太陽能電池

摘要：在用于為硅晶片上的硅太陽能電池制造正面發(fā)射電極作為正面觸點的方法中，在硅太陽能電池的正面中產生凹陷。然后產生正面的n摻雜的硅層和抗反射層。然后借助噴墨印刷機將膏狀物引入到凹陷中，該膏狀物包含導電的金屬粒子和腐蝕性玻璃熔料，該腐蝕性玻璃熔料通過短時加熱腐蝕穿透抗反射層到n摻雜的硅層并且電接觸該n摻雜的硅層。此后在凹陷中將導電的正面觸點金屬電鍍地積聚到經火后的膏狀物上作為正面觸點。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080036047.3

專利申請（專利權）人：吉布爾·施密德有限責任公司

專利發(fā)明（設計）人：H·哈費爾坎普;P·米特齊內克;K·基寧格;J·佐爾納

主權項：一種用于為硅晶片上的結晶的硅太陽能電池制造正面發(fā)射電極作為正面觸點的方法，其中在硅晶片的正面中產生用于正面觸點的凹陷，并且在產生正面的n摻雜的硅層和施加抗反射層之后，將膏狀物或者油墨引入到所述凹陷中，所述膏狀物或者油墨包含導電的金屬粒子和腐蝕性玻璃熔料，其中膏狀物或者油墨此后在短時加熱或者退火之后腐蝕穿透抗反射層至n摻雜的硅層并且電接觸該n摻雜的硅層，其中然后在所述凹陷中將導電的正面觸點金屬電鍍地積聚或者施加到經退火的膏狀物或者油墨上。

專利地區(qū)：德國