提供一種Th1-偏向性應(yīng)答的免疫納米療法專利登記公告

專利名稱：提供一種Th1-偏向性應(yīng)答的免疫納米療法

摘要：在此披露了合成納米載體組合物，以及相關(guān)方法，用于治療其中希望產(chǎn)生Th1-偏向性免疫應(yīng)答的疾病。一方面，本發(fā)明涉及用于治療一種癥狀的一種組合物，所述組合物包括：合成納米載體，包括(1)一個(gè)免疫特征表面，以及(2)一種偶合到這些合成納米載體上的Th1偏向性免疫刺激劑；以及一種藥學(xué)上可接受的賦形劑；其中該免疫特征表面并不包括處于足以激發(fā)對(duì)與治療該癥狀有關(guān)的抗原的適應(yīng)性免疫應(yīng)答的量的與治療該癥狀有關(guān)的抗原。另一方面，本發(fā)明涉及一種方法，包括：識(shí)別患有一種癥狀的受試者；提供一種包括合成納米載體的組合物，這些納米載體

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080017898.3

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：西萊克塔生物科技公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：格雷森·B·利甫福德;羅伯特·L·布拉茨勒

主權(quán)項(xiàng)：一種用于治療一種癥狀的組合物，該組合物包括：合成納米載體，包括(1)一個(gè)免疫特征表面，以及(2)一種偶合到這些合成納米載體上的Th1偏向性免疫刺激劑；以及一種藥學(xué)上可接受的賦形劑；其中該免疫特征表面并不包括處于足以激發(fā)對(duì)與治療該癥狀有關(guān)的抗原的一種適應(yīng)性免疫應(yīng)答的量的與治療該癥狀有關(guān)的抗原。

專利地區(qū)：美國(guó)